When Nexperia announced a €184 miljoen injection into its Hamburg‑Lokstedt plant on 27 juni 2024, the news rippled through the European semiconductor scene.
De mededeling kwam van de Dr. Melanie Leonhard, minister van Economische Zaken van Hamburg tijdens de 100‑jarig jubileumvieringHamburg‑Lokstedt. Het doel: de volgende generatie wide‑bandgap-chips – siliconcarbide (SiC) en gallium‑nitride (GaN) – massaal produceren.
Achtergrond en historische groei
De fabriek waar nu de 100‑jarig viering wordt gevierd, begon in 1924 als Valvo Radioröhrenfabrik. Een bijna eeuw later, in 2017, splitste Nexperia zich af van NXP Semiconductors en begon een agressieve expansiestrategie.
Sinds die spin‑off steeg het personeelsbestand van 950 naar ongeveer 1.600 medewerkers. Tegenwoordig levert het Hamburg‑Lokstedt‑complex zo’n één kwart van de wereldwijde vraag naar kleine signaaldioden en transistors – een indrukwekkende cijfers die de strategische waarde van de site onderstrepen.
Details van de €184 miljoen investering
De nieuwe kapitaalinjectie van 200 miljoen USD (ca. 184 miljoen euro) richt zich op twee pijlers: uitbreiding van de wafer‑fabricagecapaciteit voor silicium (Si) diodes en transistors, én opbouw van productielijnen voor SiC MOSFETs en GaN HEMTs.
Concreet betekent dit dat binnen twee jaar twee 200 mm productielijnen voor SiC MOSFETs en GaN HEMTs operationeel moeten zijn. Tegelijkertijd wordt de bestaande automatisering opgevoerd: robots gaan onder meer de wafer‑load‑units bedienen, waardoor de productiesnelheid met geschatte 30 % stijgt.
Achim Kempe, Chief Operating Officer van Nexperia Germany, verduidelijkte: “Deze investering versterkt onze positie als toonaangevende leverancier van energie‑efficiënte halfgeleiders en laat ons elektrificatie van kritieke toepassingen versnellen.”
Reacties van betrokkenen
De minister van Economische Zaken, Dr. Leonhard, prees de stap als ‘een katalysator voor regionale werkgelegenheid en technologische zelfstandigheid’. Ze benadrukte dat Hamburg ‘klaar is om een kernrol te spelen in de Europese transitie naar elektrische mobiliteit en groene datacenters’.
Semiconductor‑analist Peter van den Berg van TechInsights zag het als een logische voortzetting van Nexperia’s 2021‑plan, waarin moedermaatschappij Wingtech Technology al RMB 12 miljard (± 1,85 mrd USD) investeerde in een 300 mm power‑waferfabriek in Shanghai. “De Europese focus op SiC en GaN geeft Nexperia een voorsprong in markten waar efficiëntie kritischer wordt, zoals EV‑aandrijvingen en high‑performance computing,” aldus Van den Berg.
Impact op de bredere halfgeleidermarkt
Wide‑bandgap‑technologieën zoals SiC en GaN zijn essentieel voor toepassingen die hogere spanningen, frequenties en temperaturen vereisen. Elektrische voertuigen kunnen dankzij SiC‑MOSFETs efficiënter accelereren, terwijl datacenters met GaN‑HEMTs minder koeling nodig hebben – een directe bijdrage aan CO₂‑reductie.
Met de investering versterkt Hamburg zijn rol als Europese hub in een sector die traditioneel sterk door Azië wordt gedomineerd. De verwachte toename van productiecapaciteit zou de levering aan automobielfabrikanten in Duitsland en Nederland binnen enkele jaren kunnen verdubbelen.
Toekomstige stappen en uitdagingen
Naast de geplande productielijnen werkt Nexperia aan een uitbreiding van R&D‑faciliteiten in Hamburg, waarbij rond 2026 een speciaal laboratorium voor high‑frequency GaN‑toepassingen geopend moet worden.
Een mogelijke hindernis blijft de wereldwijde chip‑tekorten en geopolitieke spanningen rondom silicon‑supply‑chains. Desondanks zet de Chinese moeder, Wingtech Technology, in op een complementaire strategie: de Shanghai‑fab richt zich op grootschalige 300 mm productie, terwijl Hamburg de niche‑high‑performance‑segmenten beslaat.
- Investering: 200 miljoen USD (≈ 184 miljoen EUR)
- Doel: SiC MOSFET‑ en GaN HEMT‑productielijnen (200 mm) binnen 2 jaar
- Werkzame bevolking Hamburg‑Lokstedt: gestegen van 950 naar ~1.600
- Marktaandeel kleine signaaldioden: ~25 % wereldwijd
- Parent‑company Wingtech: RMB 12 miljard voor 300 mm fab in Shanghai (2022‑operational)
Veelgestelde vragen
Waarom richt Nexperia zich nu op wide‑bandgap‑technologie?
SiC en GaN leveren hogere efficiëntie bij hogere spanningen en temperaturen, waardoor ze onmisbaar zijn voor elektrische voertuigen, datacenters en industriële omzetters. De groeiende vraag en milieudoelstellingen maken deze materialen de logische focus voor Nexperia.
Hoeveel banen creëert de nieuwe investering?
Nexperia verwacht dat de uitbreiding tussen 150 en 200 extra hooggekwalificeerde banen oplevert, naast de huidige 1.600 medewerkers in Hamburg‑Lokstedt.
Wat betekent dit voor de Europese chip‑voorradingsketen?
Door geavanceerde WBG‑productie binnen Europa te vestigen, verkleint de afhankelijkheid van Azië voor kritieke toepassingen. Leveringszekerheid voor OEM‑s in de auto‑ en energie‑sector zal naar verwachting toenemen.
Wanneer kunnen de eerste SiC‑ en GaN‑chips van Hamburg de markt betreden?
De eerste productieruns van de 200 mm SiC MOSFET‑ en GaN HEMT‑lijnen staan gepland voor eind 2025, met commerciële levering vanaf begin 2026.
Hoe verhoudt deze investering zich tot Nexperia’s eerdere plannen?
De €184 miljoen in Hamburg bouwt voort op de 2021‑uitbreiding, waarbij destijds al 200 mm‑technologie en R&D‑capaciteit werden opgeschaald. Het verschil is dat de focus nu expliciet op WBG‑materialen ligt, een stap naar hogere waardeketen.